短溝道效應(yīng)出現(xiàn)時(shí)InAlN/GaN HEMTs的內(nèi)部電子分布

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摘 要：憑借二維器件仿真，從器件內(nèi)部電子分布角度，直觀且系統(tǒng)地展示了InAlN/GaN高電子遷移率晶體管直流特性上短溝道效應(yīng)的發(fā)生。結(jié)果顯示柵長(zhǎng)（LG）縮短會(huì)減小柵極對(duì)柵下的電導(dǎo)率調(diào)控范圍，同時(shí)由VDS產(chǎn)生的源漏電場(chǎng)（EDS）一定程度上會(huì)削弱柵控能力；當(dāng)橫縱比（LG/d，d是柵極到溝道的距離）不足時(shí)，在柵下調(diào)控較弱的位置（在緩沖層深處），EDS導(dǎo)致連通源、漏極的泄漏電流通路的形成；縮短LG或增大VDS都會(huì)增加該泄漏通路的導(dǎo)電性。（剩余8170字）