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預(yù)濺射層對銅銦鎵硒薄膜擇優(yōu)取向調(diào)控研究

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摘 要：采用高溫直接濺射Cu-In-Ga-Se四元合金靶材工藝制備光吸收層，通過對預(yù)濺射層溫度和厚度的調(diào)控，研究銅銦鎵硒（CIGS）預(yù)濺射層對直接濺射法制備CIGS薄膜的（220）擇優(yōu)取向調(diào)控機(jī)理。結(jié)果表明，預(yù)濺射層沉積溫度逐漸降低時(shí)，CIGS薄膜X射線衍射（XRD）[I（220）/I（112）]比值從0.43增大到1.05，晶粒尺寸逐漸變大且均勻。（剩余11527字）

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