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摘 要：對由SiC FET與Si IGBT并聯(lián)組成的新型混合器件（HY_F）開展研究。首先，分析HY_F的基本結(jié)構(gòu)與工作原理，并搭建HY_F的導(dǎo)通損耗模型、開通損耗模型以及關(guān)斷損耗模型。其次，基于混合器件的仿真模型，分析HY_F與傳統(tǒng)Si IGBT/SiC MOSFET混合器件（HY_M）在不同額定電流等級下?lián)p耗與成本的優(yōu)劣勢。（剩余16443字）
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基于Si IGBT與SiC FET并聯(lián)的新型混合器件特性解析及對比研究
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