反應(yīng)精餾系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)硅烷制備過(guò)程的模擬及優(yōu)化

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摘 要：模擬含有雜質(zhì)的三氯硅烷經(jīng)過(guò)歧化反應(yīng)生產(chǎn)高純度硅烷的反應(yīng)精餾過(guò)程。運(yùn)用反應(yīng)精餾法可解決三氯硅烷在歧化反應(yīng)中轉(zhuǎn)化率低以及雜質(zhì)含量高的問(wèn)題。通過(guò)調(diào)節(jié)進(jìn)料位置、精餾比、回流比、停留時(shí)間來(lái)供來(lái)確定最佳的操作條件。模擬結(jié)果表明，在進(jìn)料位置為第21塊塔板、精餾比為0.2、回流比為49.43和停留時(shí)間為20 s的條件下，硅烷純度可達(dá)到5N，雜質(zhì)含量降低到10-18，可直接用于太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的生產(chǎn)；或?qū)柰檫M(jìn)行純化使其純度達(dá)到9N后，再進(jìn)行熱分解生產(chǎn)電子級(jí)多晶硅。（剩余9697字）