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基于GaN HEMT的S波段小型化內匹配功率管設計

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摘  要：采用總柵寬36 mm的0.5 um工藝GaN HEMT功率管芯，通過合理選擇目標阻抗、優(yōu)化匹配網絡，設計了一款包含扼流電路的S波段小型化內匹配功率管。在+48 V、-3.1 V工作電壓下，2.7～3.4 GHz內，功率管輸出功率≥250 W，功率增益≥12 dB，功率附加效率≥60%，尺寸僅為15 mm×6.6 mm×1.5 mm，重量僅為0.6 g，顯示出卓越的性能，具有廣泛的工程應用前景。（剩余4914字）

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