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摘 要：隨著顯示產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，大尺寸、寬色域、高動(dòng)態(tài)范圍（HDR）和高亮度給薄膜晶體管（TFT）面板帶來(lái)了更大的挑戰(zhàn)。經(jīng)過(guò)測(cè)試，在40 000 nit高亮度背光照明下，經(jīng)過(guò)500小時(shí)照明，面板的充電能力衰減幅度高達(dá)13%。其機(jī)理與TFT結(jié)構(gòu)密切相關(guān)，如柵極的功函數(shù)和柵極絕緣層（GI）的光學(xué)帶隙（Eg）。（剩余6939字）
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非晶硅TFT強(qiáng)光穩(wěn)定性的研究及改善
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