高電子遷移率晶體管的研究進展

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摘  要：高電子遷移率晶體管（HEMT）作為半導體功率器件，能夠應(yīng)用在高溫、高壓和高頻等環(huán)境。到目前為止，第二代半導體材料GaAs、InP基HEMTs體系的發(fā)展已相當成熟，隨著第三代半導體GaN基HEMT體系的數(shù)據(jù)及理論不斷完善，其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用正逐漸占據(jù)市場的主導地位，而隨著對超寬禁帶半導體Ga2O3理論的完善及無銥工藝的出現(xiàn)，Ga2O3基HEMT器件在電力電子、射頻微波等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿?。（剩?2684字）