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摘 要：碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體制造行業(yè)、航空航天領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。超短脈沖激光可以實(shí)現(xiàn)SiC的冷加工，而研究激光與SiC相互作用過程及損傷閾值是一項(xiàng)重要研究課題。文章基于電子密度增長速率方程，結(jié)合雪崩電離模型、光致電離模型及電子空穴復(fù)合模型，對百飛秒至十皮秒的超短脈沖激光與SiC相互作用過程進(jìn)行分析。（剩余6620字）
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超短脈沖激光與碳化硅相互作用研究
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