大尺寸光伏單晶硅制備技術(shù)研究進(jìn)展

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摘 要：針對現(xiàn)有大尺寸光伏級單晶硅多次裝料拉晶技術(shù)（RCZ）、爐外加料技術(shù)（OCZ）、連續(xù)裝料拉晶技術(shù)（CCZ）等制備技術(shù)的研究現(xiàn)狀及特點進(jìn)行歸納總結(jié)，對比分析幾種光伏單晶硅制備技術(shù)在大尺寸、高品質(zhì)、低成本方面的優(yōu)勢和難點，并結(jié)合未來硅料來源分析對光伏單晶硅生長技術(shù)的發(fā)展做出展望。

關(guān)鍵詞：單晶硅；硅片；坩堝；太陽電池；直拉法

中圖分類號：TN304.12                    文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A

0 引 言

Czochralsk法，簡稱CZ法，又稱直拉法，源自Czochralsk在1918年建立的一種晶體生長方法［1］，它的出現(xiàn)使熔體中生長晶體成為可能。（剩余22096字）