100<sup>°</sup>C ）、強(qiáng)電場(chǎng) (E>400MV/m) 下因電導(dǎo)損耗增大導(dǎo)致介電儲(chǔ)能性能大幅度下降的難題，提出基于高電子親和能單體的共聚改性方法來(lái)提升材料高溫儲(chǔ)能性能。采用1,4,5,8-萘四甲酸二酐（NTCDA)單體與常規(guī)的PEI單體進(jìn)行共聚反應(yīng)制備系列NTCDA-PEI(nPEI)薄膜,研究了不同NTCDA共聚比例對(duì)材料熱性能、介電性能、擊穿性能和儲(chǔ)能性能的影響規(guī)律，并結(jié)合跳躍電導(dǎo)模型和熱刺激電流測(cè)量，分析了共聚薄膜的電導(dǎo)和陷阱特性對(duì)儲(chǔ)能性能影響的內(nèi)在機(jī)制。結(jié)果表明：共聚薄膜在介質(zhì)中引入了更多的電子陷阱，有效抑制了高溫下載流子的遷移，實(shí)現(xiàn)了電導(dǎo)電流的下降和擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度擊穿場(chǎng)強(qiáng)的提高，進(jìn)而使nPEI薄膜在高溫下實(shí)現(xiàn)放電能量密度與充放電效率的提升。當(dāng)NTCDA物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)為 1.5% 時(shí)，共聚薄膜性能如下：在 150<sup>°</sup>C 下的性能最優(yōu)，擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度為 574.35MV/m ，比純PEI提高了 14.0% ；最大放電能量密度為 6.38J/cm<sup>3</sup> ，比純PEI提高了 50.8% ；充放電效率從純PEI的 52.2% 提升至88.7% 。該研究為開(kāi)發(fā)適用于高溫環(huán)境下的儲(chǔ)能器件提供了一種解決方案。-龍?jiān)雌诳W(wǎng)" />

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萘四甲酸二酐改性的聚醚酰亞胺共聚薄膜高溫儲(chǔ)能性能研究

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關(guān)鍵詞：聚醚酰亞胺；1，4，5，8-萘四甲酸二酐；共聚；高溫；儲(chǔ)能中圖分類號(hào)：TM53；TB322文獻(xiàn)標(biāo)志碼：ADOI：10.7652/xjtuxb202506006 文章編號(hào)：0253-987X（2025）06-0052-11

High Temperature Energy Storage Per（剩余19106字）

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