超寬帶低功耗低噪聲放大器芯片

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摘  要：介紹了一款基于GaAs 0.15 μm pHEMT工藝的2～18 GHz超寬帶低功耗低噪聲放大器芯片的設(shè)計(jì)，給出了在片測(cè)試結(jié)果。該芯片采用結(jié)合有源偏置和并聯(lián)負(fù)反饋技術(shù)的改進(jìn)型共源共柵放大結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以使放大器在超寬帶的工作頻帶范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)低噪聲、低功耗和較高增益，同時(shí)減小放大器性能對(duì)工藝波動(dòng)的敏感程度。（剩余6585字）