一種基于開爾文封裝的SiC MOSFET器件鍵合線狀態(tài)監(jiān)測方法

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摘  要： 隨著SiC MOSFET器件的廣泛應用，其可靠性問題備受關(guān)注。鍵合線失效是SiC MOSFET器件故障的主要原因，因此需要對其進行狀態(tài)監(jiān)測以保證器件的正常運行。文中提出一種基于開爾文封裝的SiC MOSFET器件鍵合線狀態(tài)監(jiān)測方法。當鍵合線失效時，其等效阻抗會發(fā)生變化，故在開爾文源極和功率源極之間注入恒定的高頻脈動電流，將阻抗的變化轉(zhuǎn)換為開爾文源極和功率源極兩端電壓的變化，通過該電壓對鍵合線健康狀態(tài)進行監(jiān)測。（剩余8295字）