具有高K背柵的無電壓回跳RC?IGBT靜態(tài)特性研究

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摘  要： 針對傳統(tǒng)RC?IGBT導(dǎo)通壓降大、擊穿電壓低等問題，提出一種具有高介電常數(shù)（高K）背柵的RC?IGBT器件結(jié)構(gòu)，其特點是位于底部集電極的背柵介質(zhì)采用高介電常數(shù)材料。高K介質(zhì)增大了正向?qū)〞r背柵周圍的空穴濃度，不僅消除了電壓回跳，還降低了導(dǎo)通壓降。仿真結(jié)果表明：在高正向?qū)娏髅芏认拢↖CE=925 A/cm2），高K背柵RC?IGBT的導(dǎo)通壓降為1.71 V，相比傳統(tǒng)RC?IGBT降低了19.34%，相比氧化層背柵RC?IGBT降低了13.20%；另一方面，在阻斷狀態(tài)下，高K介質(zhì)增強了背柵周圍的電子積累，增大了擊穿電壓。（剩余9423字）