氣隙缺陷對(duì)GIS盆式絕緣子電場(chǎng)分布特性的影響分析

打開(kāi)文本圖片集

摘  要：盆式絕緣子處的氣隙缺陷是導(dǎo)致GIS設(shè)備局部放電，進(jìn)而誘發(fā)故障的主要因素之一。為探究其對(duì)絕緣子內(nèi)部電場(chǎng)分布的影響規(guī)律，文章利用COMSOL軟件分別仿真研究無(wú)缺陷和氣隙缺陷下220kV電壓等級(jí)GIS設(shè)備盆式絕緣子內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度分布特性。仿真研究結(jié)果表明：無(wú)缺陷下GIS盆式絕緣子表面電勢(shì)和電場(chǎng)無(wú)畸變，呈現(xiàn)圓滑過(guò)渡狀，絕緣子表面最大場(chǎng)強(qiáng)3.7kV/mm遠(yuǎn)小于SF6氣體擊穿場(chǎng)強(qiáng)10kV/mm，即工況下GIS盆式絕緣子不發(fā)生局部放電;而氣隙缺陷下GIS盆式絕緣子表面最大場(chǎng)強(qiáng)在氣隙缺陷處，氣隙缺陷處最大場(chǎng)強(qiáng)為10.6kV/mm，遠(yuǎn)大于空氣體擊穿場(chǎng)強(qiáng)3kV/mm。（剩余3999字）