W/ZnO/FTO結構ZnO憶阻器的自整流特性

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摘 要：以二水合乙酸鋅為原料，采用磁控濺射法鍍上金屬W頂電極，通過溶膠-凝膠法制備具有自整流特性的W/ZnO/FTO結構憶阻器；利用XRD技術手段測試并分析，觀察到（100）、（002）、（101）衍射峰明顯增強，證實FTO表面所覆蓋的是由ZnO組成的多晶體薄膜。通過對器件阻變開關特性進行研究，發(fā)現(xiàn)器件的SET過程在負向電壓下完成，RESET過程在正向電壓下完成，表明器件具有良好的雙極性阻變開關行為，這種行為可用氧空位組成的導電絲的形成和破裂來解釋。（剩余10751字）