PERC背鈍化工藝卡點位置缺陷導(dǎo)致EL不良研究

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摘 要：以二合一管式PECVD背鈍化鍍膜工藝過程中出現(xiàn)的石墨舟空心卡點EL發(fā)黑品質(zhì)異常為研究對象，分析討論二合一管式PECVD背鈍化工藝中射頻功率、工藝溫度、氧化鋁沉積厚度等對晶硅太陽電池空心卡點EL發(fā)黑品質(zhì)異常的影響。結(jié)果表明，在二合一管式PECVD背鈍化工藝時采用12～16 nm厚度的氧化鋁薄膜、350～370 ℃的預(yù)淀積工藝溫度，能有效解決鍍膜空心卡點EL發(fā)黑品質(zhì)異常，顯著提升晶硅太陽電池在二合一管式PECVD的鍍膜品質(zhì)。（剩余8480字）