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摘要:基于2020—2023年我國(guó)半導(dǎo)體芯片集成電路濕法刻蝕工藝原材料及零部件的供需數(shù)據(jù),運(yùn)用復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)建模方法構(gòu)建從工藝制程節(jié)點(diǎn)到化學(xué)品,再到核心零部件的多層網(wǎng)絡(luò)模型,對(duì)其國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)韌性進(jìn)行測(cè)度并提出潛在的替代路徑。結(jié)果表明我國(guó)半導(dǎo)體芯片集成電路制造濕法刻蝕供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)具有無(wú)標(biāo)度性和異質(zhì)性特征,化學(xué)品的國(guó)產(chǎn)化速度及比例比較高,核心零部件國(guó)產(chǎn)化率逐年提升,但進(jìn)展較慢,難度較高。(剩余6197字)
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雙層網(wǎng)絡(luò)視角下我國(guó)半導(dǎo)體芯片供應(yīng)鏈韌性及替代路徑研究
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