非分段GaN HEMT EF2類功率放大器理論研究

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摘  要： 目前，增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的仿真模型存在仿真時(shí)間長(zhǎng)、復(fù)雜度高且收斂性不好等問(wèn)題。為了解決GaN HEMT器件在電力電子電路中仿真收斂性和準(zhǔn)確性差的問(wèn)題，提出一種非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段連續(xù)方程對(duì)GaN HEMT器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行建模；再對(duì)GaN HEMT的輸出特性進(jìn)行仿真，并與Si MOSFET的仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。（剩余9593字）