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非分段GaN HEMT EF2類功率放大器理論研究

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摘  要： 目前，增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的仿真模型存在仿真時間長、復(fù)雜度高且收斂性不好等問題。為了解決GaN HEMT器件在電力電子電路中仿真收斂性和準(zhǔn)確性差的問題，提出一種非分段的GaN HEMT SPICE模型。使用非分段連續(xù)方程對GaN HEMT器件的靜態(tài)和動態(tài)特性進行建模；再對GaN HEMT的輸出特性進行仿真，并與Si MOSFET的仿真結(jié)果進行對比。（剩余9593字）

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