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大面積MoS2薄膜制備及其光電性能研究

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摘  要：二維（2D）半導體薄膜材料作為當代光電子器件領(lǐng)域的主力軍，大面積薄膜材料的制備則成為亟待解決的熱點問題。文章通過一種硫（S）化預生長的氧化鉬（MoO3）的方法實現(xiàn)大面積二硫化鉬（MoS2）薄膜材料的制備。區(qū)別于傳統(tǒng)化學氣相沉積（CVD）方法生長材料隨機成核的特性，文章設(shè)計利用提前在襯底上預生長MoO3作為Mo源，以固定MoS2薄膜的成核位點。（剩余6816字）

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