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Buck開關(guān)電源MOSFET損耗分析

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【摘要】為實現(xiàn)汽車集中式域控制器高性能芯片的開關(guān)電源的功率損耗計算，分析了金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的導通和關(guān)斷過程，對Buck型開關(guān)電源的MOSFET損耗進行理論分析及公式推導，針對開關(guān)損耗部分進行了實例計算和仿真驗證。結(jié)果表明，計算結(jié)果與仿真結(jié)果趨于一致，所提出的方法可為開關(guān)電源MOSFET的選型提供參考。（剩余9179字）

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