車用SiC-MOSFET的應(yīng)用與技術(shù)發(fā)展綜述

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【摘要】針對硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）難以進(jìn)一步滿足電動汽車高功率密度、低導(dǎo)通損耗、高散熱能力等需求的不足，綜述了車用碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SiC-MOSFET）的最新研究進(jìn)展。通過總結(jié)SiC-MOSFET在電動汽車牽引逆變器、DC/DC電源變換器和車載充電機(jī)（OBC）應(yīng)用場景下的特點，分析了目前車用SiC-MOSFET在成本、可靠性及散熱方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，并探討了其在微型化、先進(jìn)封裝、多芯片集成和成本方面的發(fā)展趨勢。（剩余18466字）