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基于二維MoS2納米材料分離膜的制備及其應(yīng)用研究進(jìn)展

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摘 要:二維納米材料由于獨(dú)特的原子級(jí)厚度和優(yōu)異的材料特性,受到了越來(lái)越多的研究和探索.MoS2作為一種典型的二維納米材料,憑借其成本較低、催化活性高、穩(wěn)定性好等優(yōu)勢(shì),在能源、催化、電子傳感等方面得到了廣泛的研究.近年來(lái),由于MoS2納米片的層內(nèi)固有缺陷以及層間納米限域通道的存在,在膜分離領(lǐng)域具有巨大(剩余30656字)

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