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摘 要：N型半導體BiVO4是降解有機污染物最具應用前景的可見光光催化材料之一.然而，純BiVO4由于光生電子-空穴對復合過快，載流子傳輸速率低等問題限制著其光催化能力.表面活性劑不僅可以調(diào)節(jié)BiVO4的形貌和粒徑大小，還可以通過增大比表面積來增多反應活性位點，以提高光催化活性.本研究以十二烷基硫酸（剩余20254字）
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低溫水浴制備BiVO4光催化材料用于可見光降解RhB研究
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