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摘 要 本文介紹了利用射頻磁控濺射技術(shù)在氧化硅襯底上制備非晶氧化銦鎵鋅（a-IGZO）薄膜，對(duì)濺射的薄膜進(jìn)行了不同條件下的特性分析，制備成a-IGZO 薄膜晶體管（a-IGZOTFT），并分別研究了濺射氣氛、有源層厚度和退火工藝對(duì)器件電學(xué)性能的影響。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)使用50W 的濺射功率時(shí)，濺射過程中補(bǔ)充氧氣，可以填補(bǔ)材料的深能級(jí)氧空位缺陷，提高了器件性能。（剩余13156字）
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非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管制備工藝及性能研究
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