MoS2/rGO電磁屏蔽材料的可控制備及性能研究

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摘 要：隨著電磁干擾（EMI）污染的問題日益凸顯，亟待研制出具有高度適應性、高效能以及高性能的EMI屏蔽材料。借助水熱法與熱處理手段能夠實現(xiàn)二硫化鉬與還原氧化石墨烯（MoS2/rGO）復合材料的制備。rGO片與在其表面原位生成的MoS2納米片共同構建三維（3D）多孔網(wǎng)絡框架，有效防止了二者的堆積。同時，MoS2納米片與rGO片的結合可以形成穩(wěn)定的3D導電網(wǎng)絡，能夠有效提升電子的導電能力和載流子的遷移速率，從而進一步降低體系的傳導損耗。（剩余18991字）