倍增層Si濃度對β-FeSi2/Si紅外探測器性能的影響研究

打開文本圖片集

摘 要：【目的】為降低暗電流，改善器件性能，對不同的倍增層Si摻雜濃度在電場分布、暗電流和響應(yīng)度等性能方面的影響進(jìn)行探討，以獲得摻雜濃度的最優(yōu)值?！痉椒ā坷冒雽?dǎo)體仿真軟件Silvaco-TCAD深入探討了倍增層Si摻雜濃度對β-FeSi2/Si近紅外探測器性能的影響規(guī)律?！窘Y(jié)果】隨著倍增層摻雜濃度的提升，倍增層內(nèi)部電場強度峰值逐漸增加，暗電流密度與電容值也將相應(yīng)提高，光響應(yīng)度基本保持不變。（剩余9192字）