基于串擾電壓峰值的IGBT模塊鍵合線老化監(jiān)測方法

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中圖分類號：TM464 文獻標志碼：A

0 引言

隨著光伏發(fā)電技術的發(fā)展，并網逆變器在配電網中的應用越發(fā)廣泛[1]。并網逆變器作為新能源發(fā)電系統(tǒng)與公共電網的關鍵接口，其穩(wěn)定性尤為重要[2]。功率器件絕緣柵雙極晶體管（insulated gate bipolar transistors，IGBT）和碳化硅金屬-氧化物-半導體場效應管（siliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，SiCMOSFET）作為并網逆變器的核心組成[3]，其可靠性和安全性對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定運行具有重大意義。（剩余10561字）