晶體硅太陽(yáng)電池的BaF電子選擇性接觸研究

打開文本圖片集

中圖分類號(hào)：TM615 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A

DOI：0.992/j.0254-0096.tynxb.2024-0284

摘要：研究一種利用電子束蒸發(fā)方法制備的超薄氟化鋇（BaF）薄膜的材料特性，并將其應(yīng)用為晶體硅異質(zhì)結(jié)電池的新穎的、輸運(yùn)電子而阻擋空穴的免摻雜選擇性接觸傳輸材料。紫外光電子能譜測(cè)試表明BaF/AI界面的功函數(shù)為 2.55eV ，低于鋁本身的功函數(shù) （4.26eV ），可實(shí)現(xiàn)對(duì)電子的選擇性傳輸功能。（剩余13010字）