考慮寄生電感的SiC MOSFET半橋電路串?dāng)_峰值預(yù)測(cè)方法

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DOI：10.19912/j.0254-0096.tynxb.2021-0824 文章編號(hào)：0254-0096（2023）01-0016-08

摘 要：針對(duì)光伏并網(wǎng)逆變器中的串?dāng)_問題，提出一種考慮寄生電感影響的非開爾文封裝SiC MOSFET串?dāng)_峰值預(yù)測(cè)算法。以TO-247-3封裝SiC MOSFET構(gòu)成的半橋電路為研究對(duì)象，首先分析各個(gè)階段的串?dāng)_電壓數(shù)學(xué)模型，并推導(dǎo)串?dāng)_電壓的微分表達(dá)式；其次提出串?dāng)_峰值的預(yù)測(cè)算法，建立預(yù)測(cè)峰值所需參數(shù)的數(shù)學(xué)模型；最后搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，驗(yàn)證理論的正確性和算法的有效性，為設(shè)計(jì)光伏并網(wǎng)逆變器的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路提供參考依據(jù)。（剩余12165字）