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退火過(guò)程對(duì)硅錠熱應(yīng)力與位錯(cuò)影響的數(shù)值分析

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打開(kāi)文本圖片集

DOI:10.19912/j.0254-0096.tynxb.2021-0789 文章編號(hào):0254-0096(2023)01-0001-07

摘 要:利用CGSim軟件對(duì)定向凝固多晶硅從長(zhǎng)晶過(guò)程開(kāi)始到退火過(guò)程結(jié)束進(jìn)行瞬態(tài)數(shù)值模擬,研究不同退火溫度和退火時(shí)間對(duì)多晶硅錠內(nèi)熱應(yīng)力及位錯(cuò)密度的影響。(剩余12092字)

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