等離子體化學(xué)氣相沉積工藝調(diào)控銅基-石墨烯復(fù)合 薄膜材料微結(jié)構(gòu)及電學(xué)熱學(xué)性能研究

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摘要：本文利用等離子體化學(xué)氣相沉積PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）技術(shù)制備了銅基-石墨烯復(fù)合薄膜，通過(guò)X射線衍射及Raman光譜證實(shí)了低溫合成的可行性. 同時(shí)，逐步研究壓強(qiáng)、功率、氣流量、基底溫度等關(guān)鍵參數(shù)對(duì)沉積速率的影響，實(shí)現(xiàn)了對(duì)薄膜（剩余14037字）