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摘要： 本文通過第一性原理計算在GGA + U 框架下系統(tǒng)地研究了非磁性摻雜劑（Li）和磁性摻雜劑（V）以及相應的點缺陷（V O /V Sn ）摻雜SnO 2 基稀磁半導體（DMS）的穩(wěn)定性、電子結構、鍵合性質、磁性以及光學性質.（剩余22362字）
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非磁性/磁性摻雜劑對SnO2體系的性能調控
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