基于DFT與機器學(xué)習(xí)的GaN電子能帶預(yù)測及其應(yīng)變調(diào)控

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摘 要：由于氮化鎵（GaN）出色的電學(xué)和力電耦合性質(zhì)，其已成為備受關(guān)注的功率半導(dǎo)體材料。其中，電子能帶特性和帶隙大小是評價半導(dǎo)體材料的重要指標(biāo)之一。盡管第一性原理計算方法在能帶特性預(yù)測方面具有高精度的優(yōu)勢，但該方法需要大量計算資源。隨著人工智能和數(shù)據(jù)技術(shù)的快速發(fā)展，機器學(xué)習(xí)在新材料的研發(fā)和研究中得到了廣泛應(yīng)用。（剩余16831字）