4英寸GaN襯底MOCVD外延高質量AlGaN/GaN HEMT材料研究分析

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關鍵詞：GaN襯底，AlGaN/GaN HEMT

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GaN作為第三代寬禁帶半導體，其帶隙寬度較大，熱導率高、電子飽和速度高、擊穿場強大、熱穩(wěn)定性好，是制備高溫、高頻、高壓及大功率器件的優(yōu)選材料。面向微波應用的AlGaN/GaN 高電子遷移率晶體管（HEMT）方興未艾[1-3]。目前，GaN材料主要通過在SiC、Si和藍寶石等異質襯底上外延獲得，受限于異質襯底與外延層之間晶格常數(shù)與熱膨脹系數(shù)的較大差異，GaN外延材料位錯密度高達108～1010 cm-2，影響器件性能和使用壽命。（剩余2892字）