0.1 GHz～18 GHz單電源寬帶低噪聲放大器

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摘  要：基于GaAs增強型pHEMT工藝，設(shè)計了一款單電源供電、工作頻率覆蓋0.1 GHz～18 GHz單片集成寬帶低噪聲放大器芯片。在同一芯片上集成分布式低噪聲放大器和有源偏置電路，通過有源偏置電路為分布式放大器提供柵壓實現(xiàn)放大器單電源供電。在片測試結(jié)果表明，放大器在+5 V工作電壓下，工作電流60 mA，在0.1 GHz～18 GHz工作頻段范圍內(nèi)實現(xiàn)小信號增益18 dB，輸出P1 dB（1 dB壓縮點輸出功率）典型值12 dBm，噪聲系數(shù)典型值2.5 dB。（剩余5436字）