一種新型異質(zhì)結(jié)雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管

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摘  要：文章提出一種新型Si/Ge異質(zhì)結(jié)雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管（GP_Si/Ge_DGTFET）。該器件在異質(zhì)結(jié)的基礎(chǔ)上加入凹槽型pocket結(jié)構(gòu)，禁帶寬度較窄的Ge材料可以使器件擁有更低的亞閾值擺幅和更大的開態(tài)電流，同時pocket結(jié)構(gòu)的引入可以進一步降低隧穿勢壘。基于Sentaurus TCAD仿真軟件，將該新型器件與傳統(tǒng)Si/Ge異質(zhì)結(jié)雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管（Si/Ge_DGTFET）進行對比。（剩余7331字）