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摘要:化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing,CMP)是半導(dǎo)體制造工藝中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵技術(shù),廣泛應(yīng)用于先進(jìn)制程的生產(chǎn)。通過結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械磨削,CMP 工藝能夠去除晶圓表面材料,使晶圓表面實(shí)現(xiàn)高精度平坦化。從CMP 工藝的基本原理出發(fā),深入探討了拋光墊和拋光液兩類核心CMP材料的特性及其對工藝效果的影響。(剩余3519字)
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電子產(chǎn)品制造過程中CMP材料的應(yīng)用研究
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