東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應(yīng)用痛點(diǎn)

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和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能，是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN

的開關(guān)速度比SiC快，SiC工作電壓比GaN更高。GaN的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動(dòng)汽車的DC-DC（直流-直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC （車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大器等;SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的高壓高電流的能力以及易驅(qū)動(dòng)特性，使其適合于大功率且高效的各類應(yīng)用，例如：列車逆變器系統(tǒng)，工業(yè)電源、太陽能逆變器和UPS（不間斷電源）高性能開關(guān)電源等等，可以大大提升效率，功率密度等性能。（剩余986字）