保護(hù)環(huán)對雙向可控硅靜電防護(hù)器件電容特性的影響

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關(guān)鍵詞：雙向可控硅;保護(hù)環(huán);寄生電容;傳輸線脈沖測試系統(tǒng)

靜電釋放（electro-staticdischarge，ESD）是集成電路（IC）的主要可靠性問題之一[1]，因此IC片上需放置靜電防護(hù)器件，其端口的常規(guī)靜電防護(hù)網(wǎng)絡(luò)如圖1所示。靜電防護(hù)器件的設(shè)計首先應(yīng)滿足ESD窗口要求，此外，ESD防護(hù)器件的寄生電容（CESD）應(yīng)盡可能小，避免器件寄生電容過大影響被保護(hù)電路的工作速度[2]。（剩余3229字）