功率半導(dǎo)體IGBT熱擊穿失效的可靠性研究

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關(guān)鍵詞：驅(qū)動(dòng)芯片;欠壓保護(hù);熱擊穿;共地線;電源波動(dòng);諧波

絕緣柵雙極型晶體管（insulatedgatebipolartransistor，IGBT）是一種綜合了金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，MOSFET）和雙極型晶體管（bipolarjunctiontransistor，BJT）結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件，并且同時(shí)吸收了二者的優(yōu)點(diǎn)，具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低、控制電路簡單和承受電流大等特性，在各種電力電子變換裝置中得到了廣泛的應(yīng)用。（剩余3280字）