四重納米圓盤結(jié)構(gòu)中斯格明子邊界態(tài)的微磁模擬研究

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摘 要： 磁性材料中的自旋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)磁斯格明子在下一代超高密度、低能耗、高穩(wěn)定性的信息存儲(chǔ)器件和微波發(fā)射器件的研制方面具有極大的潛在應(yīng)用前景。本文基于Co/Ni 材料的自由層與極化層均為垂直磁各向異性的自旋閥模型，應(yīng)用微磁模擬與傅里葉分析相結(jié)合的技術(shù)研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用（DMI）的四重連接圓盤結(jié)構(gòu)中非完整性磁斯格明子邊界態(tài)轉(zhuǎn)動(dòng)模式的動(dòng)力學(xué)行為特性。（剩余7602字）