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摘 要：本文以三維雕刻法和鋁合金穿孔熔滲工藝制備了定向結(jié)構(gòu)Si3N4/Al電子封裝基片，研究了不同定向孔直徑對(duì)基片軸向?qū)嵯禂?shù)和徑向熱膨脹系數(shù)的影響.微觀形貌分析表明Si3N4陶瓷的燒結(jié)是主要包括聚團(tuán)顆粒之間形成粘結(jié)和聚團(tuán)顆粒內(nèi)部生成β-Si3N4的過程，聚團(tuán)顆粒尺寸是影響Si3N4陶瓷性能的主要因（剩余11411字）
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三維雕刻法制備定向結(jié)構(gòu)Si3N4/Al電子封裝基片研究
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