砷化鎵解理加工的劃片過(guò)程仿真分析及工藝研究

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摘要：

為有效提高砷化鎵（GaAs）基半導(dǎo)體激光芯片巴條諧振腔面解理加工質(zhì)量，開展了一種新型點(diǎn)劃方式的劃片仿真分析及工藝實(shí)驗(yàn)。建立GaAs劃片過(guò)程的有限元仿真模型，根據(jù)不同劃片工藝，研究劃片載荷及應(yīng)力分布情況；開展解理工藝驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，分析解理面形貌特征，對(duì)劃片工藝進(jìn)行驗(yàn)證。研究結(jié)果表明，優(yōu)化后的工藝方法（即由內(nèi)向外點(diǎn)劃片）可有效降低劃片過(guò)程材料表面損傷程度，減少脆性斷裂現(xiàn)象，實(shí)驗(yàn)結(jié)果與仿真結(jié)果具有較高的一致性。（剩余13005字）