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摘要 針對目前碳化硅拋光效率低、表面質(zhì)量差等加工難題，采用超聲輔助CMP（UCMP）加工工藝對其表面進(jìn)行光滑無損化拋光。為探究超聲輔助對CMP流場的影響，以超聲振動下的拋光流場特性為研究對象，基于可實(shí)現(xiàn)k?ε模型對超聲作用下的拋光流場特性進(jìn)行分析，并采用有限元分析方法探究不同超聲頻率、超聲振幅、液膜厚度對拋光流場內(nèi)速度、壓力的影響，且開展CMP和UCMP對照試驗(yàn)。（剩余19524字）
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超聲作用下碳化硅CMP流場特性分析
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