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摻雜元素X（B、Al、Sn、Co）對IDB-X/Diamond界面結合性能的影響

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摘要 基于量子力學第一性原理，建立了IDB-B/Diamond、IDB-Al/Diamond、IDB-Sn/Diamond和IDB-Co/Dia-mond 4種膜基界面模型，計算了膜基界面結合能、差分電荷密度和布居數(shù)，以探究孕鑲金剛石鉆頭（impreg-nated diamond bits，IDB）基體中的常用元素X（X=B、Al、Sn、Co）對IDB-X/Diamond膜基結合強度的影響機制。（剩余17212字）

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