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Cu∶Co∶Mg∶LiNbO3晶體電子結(jié)構和光學性質(zhì)

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摘 要：基于第一性原理研究了LiNbO3晶體及不同Mg濃度下的Cu∶Co∶LiNbO3晶體的電子結(jié)構和光學性質(zhì)。Cu∶LiNbO3和Co∶LiNbO3晶體禁帶寬度分別為3.279 eV和3.333 eV，在帶隙中出現(xiàn)的雜質(zhì)能級主要由Cu 3d和Co 3d軌道貢獻。在抗光折變Mg離子物質(zhì)的量濃度達到閾值（約6%）時，光折變摻雜離子在3.069 eV和2.363 eV處表現(xiàn)出較好的光吸收。（剩余11227字）

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