超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的專利分析

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摘 要：【目的】氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體，具有耐高壓、耐高溫、功率大、抗輻照等特性，極有可能在未來(lái)成為高功率、大電壓應(yīng)用領(lǐng)域的主導(dǎo)者，在全球科研與產(chǎn)業(yè)界引起了廣泛重視。從專利角度對(duì)氧化鎵材料進(jìn)行分析，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和專利布局提供參考。【方法】基于全球相關(guān)專利數(shù)據(jù)，從專利申請(qǐng)趨勢(shì)、專利權(quán)人排名、技術(shù)來(lái)源國(guó)、技術(shù)領(lǐng)域IPC分類等維度對(duì)氧化鎵材料進(jìn)行分析。（剩余5869字）