三維集成電路集成硅通孔的應(yīng)力應(yīng)變研究

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摘 要：采用有限元模擬法研究三維集成電路集成中硅通孔結(jié)構(gòu)在熱循環(huán)載荷條件下的失效行為，對(duì)硅通孔結(jié)構(gòu)的應(yīng)力應(yīng)變進(jìn)行分析。結(jié)果表明，硅通孔結(jié)構(gòu)在熱循環(huán)載荷下頂部Cu焊盤(pán)角落附近的SiO2層處具有最大的應(yīng)力與應(yīng)變，這表明硅通孔結(jié)構(gòu)中最易失效位置在頂部Cu焊盤(pán)角落附近Cu和SiO2的界面處。試驗(yàn)結(jié)果與模擬分析一致，進(jìn)一步驗(yàn)證了模擬結(jié)果對(duì)硅通孔結(jié)構(gòu)最易失效位置分析的可靠性。（剩余4949字）