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關鍵詞：測量；應力；圖像處理；光學儀器；雙折射
中圖分類號：TN 209 文獻標志碼：A
引言
碳化硅因有高熱導率、高強度、耐高溫和抗輻射等優(yōu)良的性能而被廣泛應用在半導體領域中，但碳化硅晶圓在制作過程中因微管，位錯等缺陷會產(chǎn)生殘余應力，導致成品質(zhì)量及良品率的降低，因此對碳化硅晶圓進行高精度殘余應力測量是很有必要的一道工序。（剩余2844字）
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