氧化鎢憶阻器的制備及其神經(jīng)突觸特性

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摘要： 為了實現(xiàn)憶阻器在神經(jīng)網(wǎng)絡中的應用，采用磁控濺射技術(shù)制備模擬型氧化鎢憶阻器； 在氧化銦錫導電玻璃襯底上依次生長氧化鎢薄膜和銀薄膜，將氧化鎢作為阻變層，氧化銦錫作為底電極，銀作為頂電極； 采用掃描電子顯微鏡和系統(tǒng)數(shù)字源表表征制備的氧化鎢憶阻器的結(jié)構(gòu)、 電學性能和導通機制。結(jié)果表明： 制備的氧化鎢憶阻器具有優(yōu)異的突觸性能，阻變機制由銀導電細絲為主導； 將制備的憶阻器用于神經(jīng)網(wǎng)絡仿真，準確率達到99.11%，與中央處理器的準確率99.31%相近，能夠應用于神經(jīng)形態(tài)的計算。（剩余13491字）